Hersteller Produktnummer:
NTD4806N-35G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD4806N-35G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventar:
12857683
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NTD4806N-35G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 11.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2142 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
NTD48
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
ONSONSNTD4806N-35G
2156-NTD4806N-35G-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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