Hersteller Produktnummer:
NVMFD5873NLT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFD5873NLT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventar:
12843921
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NVMFD5873NLT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1560pF @ 25V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Basis-Produktnummer
NVMFD5873
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
2156-NVMFD5873NLT1G-488
NVMFD5873NLT1G-DG
NVMFD5873NLT1GOSDKR
NVMFD5873NLT1GOSCT
NVMFD5873NLT1GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPG20N06S4L14AATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
29937
TEILNUMMER
IPG20N06S4L14AATMA1-DG
Einheitspreis
0.49
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