Hersteller Produktnummer:
IPG20N06S415ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPG20N06S415ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventar:
3754 Stück Neu Original Auf Lager
13064001
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IPG20N06S415ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2260pF @ 25V
Leistung - Max
50W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-4
Basis-Produktnummer
IPG20N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
IPG20N06S415ATMA2-ND
448-IPG20N06S415ATMA2CT
448-IPG20N06S415ATMA2TR
448-IPG20N06S415ATMA2DKR
SP001028634
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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