Hersteller Produktnummer:
NVMD6N03R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMD6N03R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12847844
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NVMD6N03R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950pF @ 24V
Leistung - Max
1.29W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NVMD6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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