Hersteller Produktnummer:
NVBG025N065SC1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVBG025N065SC1-DG
Beschreibung:
SIC MOS D2PAK-7L 650V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
13002457
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NVBG025N065SC1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 15.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3480 pF @ 325 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
395W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
NVBG025
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NVBG025N065SC1DKR
488-NVBG025N065SC1TR
488-NVBG025N065SC1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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