Hersteller Produktnummer:
G700P06J
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G700P06J-DG
Beschreibung:
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
135 Stück Neu Original Auf Lager
13002460
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G700P06J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1465 pF @ 30 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
3141-G700P06J
4822-G700P06J
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETE
SIHG150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HV
