Hersteller Produktnummer:
NTPF360N65S3H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTPF360N65S3H-DG
Beschreibung:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tj) 26W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
12964868
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Menge
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NTPF360N65S3H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
916 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
488-NTPF360N65S3HDKR-DG
488-NTPF360N65S3HTR
488-NTPF360N65S3H
488-NTPF360N65S3HDKR
488-NTPF360N65S3HCT
488-NTPF360N65S3HCT-DG
488-NTPF360N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF360N65S3HTR-DG
488-NTPF360N65S3HDKRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHA11N80E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1334
TEILNUMMER
SIHA11N80E-GE3-DG
Einheitspreis
1.45
ERSATZART
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