SIHF9520S-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHF9520S-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHF9520S-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

788 Stück Neu Original Auf Lager
12964885
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SIHF9520S-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHF9520

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
742-SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF9520SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1105
TEILNUMMER
IRF9520SPBF-DG
Einheitspreis
0.62
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
panjit

PJA3436_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3415_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K7002KFU,LXH

SMOS LOW RON NCH IO: 0.4A VDSS:

onsemi

NTMT125N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE