Hersteller Produktnummer:
NTP52N10G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP52N10G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12841459
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NTP52N10G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP52N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
NTP52N10GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN009-100P,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
291
TEILNUMMER
PSMN009-100P,127-DG
Einheitspreis
1.44
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