Hersteller Produktnummer:
NP60N04MUG-S18-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP60N04MUG-S18-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 60A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 88W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12859905
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NP60N04MUG-S18-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 88W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF4104PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
928
TEILNUMMER
IRF4104PBF-DG
Einheitspreis
0.78
ERSATZART
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