Hersteller Produktnummer:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventar:
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NTMTSC1D6N10MCTXG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 650µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
8-TDFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
NTMTSC1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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