Hersteller Produktnummer:
NTMS4101PR2
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMS4101PR2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12857569
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NTMS4101PR2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3200 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.38W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
NTMS41
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTMS4101PR2OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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