Hersteller Produktnummer:
NDS356AP
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDS356AP-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12857572
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NDS356AP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
NDS356
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NDS356APDKR
NDS356APCT-NDR
NDS356APTR
2832-NDS356AP
NDS356APCT
2156-NDS356AP-OS
FAIFSCNDS356AP
NDS356APTR-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI2303CDS-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
15853
TEILNUMMER
SI2303CDS-T1-GE3-DG
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