Hersteller Produktnummer:
NTMS10P02R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMS10P02R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2644 Stück Neu Original Auf Lager
12857001
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NTMS10P02R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3640 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
NTMS10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
2832-NTMS10P02R2GTR
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-DG
NTMS10P02R2GOS-DG
ONSONSNTMS10P02R2G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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