Hersteller Produktnummer:
UPA2825T1S-E2-AT
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
UPA2825T1S-E2-AT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventar:
12857008
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UPA2825T1S-E2-AT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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