RS6L090BGTB1
Hersteller Produktnummer:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RS6L090BGTB1-DG

Beschreibung:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

2206 Stück Neu Original Auf Lager
12990010
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RS6L090BGTB1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RS6L090BGTB1
HTML-Datenblatt
RS6L090BGTB1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RS6L090BGTB1CT
846-RS6L090BGTB1DKR
846-RS6L090BGTB1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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