NTMFS4C09NAT1G
Hersteller Produktnummer:

NTMFS4C09NAT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTMFS4C09NAT1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventar:

1497 Stück Neu Original Auf Lager
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NTMFS4C09NAT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta), 52A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1252 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
760mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NTMFS4

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
NTMFS4C09NAT1G-DG
ONSONSNTMFS4C09NAT1G
488-NTMFS4C09NAT1GDKR
488-NTMFS4C09NAT1GTR
488-NTMFS4C09NAT1GCT
2156-NTMFS4C09NAT1G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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