Hersteller Produktnummer:
HAT2131R-EL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2131R-EL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 350 V 900mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
12858543
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HAT2131R-EL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
HAT2131
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RJK4002DPD-00#J2
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
6000
TEILNUMMER
RJK4002DPD-00#J2-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
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