Hersteller Produktnummer:
NTMFD4C86NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMFD4C86NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventar:
12847842
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Menge
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NTMFD4C86NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.3A, 18.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1153pF @ 15V
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x6)
Basis-Produktnummer
NTMFD4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
ONSONSNTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1GOSCT
NTMFD4C86NT1GOSTR
NTMFD4C86NT1GOSDKR
NTMFD4C86NT1G-DG
2156-NTMFD4C86NT1G-ONTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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