Hersteller Produktnummer:
NTMD2P01R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMD2P01R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12856505
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NTMD2P01R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
16V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
750pF @ 16V
Leistung - Max
710mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NTMD2P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NTMD2P01R2GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTMD6P02R2G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3322
TEILNUMMER
NTMD6P02R2G-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
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