NTJD3158CT2G
Hersteller Produktnummer:

NTJD3158CT2G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTJD3158CT2G-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 630mA, 820mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

12856576
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

NTJD3158CT2G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
630mA, 820mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
46pF @ 20V
Leistung - Max
270mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
NTJD31

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NTJD4105CT2G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5990
TEILNUMMER
NTJD4105CT2G-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NVMFD5877NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN

onsemi

NDS8858H

MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC

onsemi

NVMFD5C446NLT1G

MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN

onsemi

NTMFD5C466NLT1G

MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN