Hersteller Produktnummer:
NTHS4166NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHS4166NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventar:
461 Stück Neu Original Auf Lager
12860637
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTHS4166NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
NTHS4166
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NTHS4166NT1G-OS
ONSONSNTHS4166NT1G
NTHS4166NT1GOSDKR
NTHS4166NT1GOSCT
2832-NTHS4166NT1GTR
NTHS4166NT1GOSTR
NTHS4166NT1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NVHL110N65S3F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
NTMFS5C442NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 28A/130A 5DFN
FK4B01100L1
MOSFET N-CH 12V 3.4A XLGA004
