Hersteller Produktnummer:

H5N2307LSTL-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

H5N2307LSTL-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH HS SW TO-263

Detaillierte Beschreibung:

Inventar:

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12860672

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H5N2307LSTL-E Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Renesas Electronics Corporation

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

-

Technologie

-

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

-

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

-

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

-

vgs(th) (max.) @ id

-

Vgs (Max)

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Art der Montage

-

Gerätepaket für Lieferanten

-

Paket / Koffer

-

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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