Hersteller Produktnummer:
NTHD3100CT3G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHD3100CT3G-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventar:
12934863
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTHD3100CT3G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A, 3.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
165pF @ 10V
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NTHD3100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTHD3100CT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5410
TEILNUMMER
NTHD3100CT1G-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
