Hersteller Produktnummer:
NTHD3100CT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTHD3100CT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventar:
5410 Stück Neu Original Auf Lager
12841840
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NTHD3100CT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A, 3.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
165pF @ 10V
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
ChipFET™
Basis-Produktnummer
NTHD3100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTHD3100CT1GOSTR
NTHD3100CT1GOSCT
NTHD3100CT1GOSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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