Hersteller Produktnummer:
NTH4L060N090SC1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTH4L060N090SC1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 46A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
131 Stück Neu Original Auf Lager
12963528
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NTH4L060N090SC1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1770 pF @ 450 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
221W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4L
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
488-NTH4L060N090SC1DKR-DG
488-NTH4L060N090SC1CT-DG
488-NTH4L060N090SC1
488-NTH4L060N090SC1CTINACTIVE
488-NTH4L060N090SC1TR-DG
488-NTH4L060N090SC1TR
488-NTH4L060N090SC1CT
488-NTH4L060N090SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L060N090SC1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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