Hersteller Produktnummer:
NTMT190N65S3H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTMT190N65S3H-DG
Beschreibung:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Inventar:
12963656
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NTMT190N65S3H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
129W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-TDFN (8x8)
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NTMT190N65S3HDKR
488-NTMT190N65S3HTR
488-NTMT190N65S3HCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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