Hersteller Produktnummer:
NTD18N06L-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD18N06L-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-PAK
Inventar:
12926275
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NTD18N06L-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
675 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NTD18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-NTD18N06L-1G-ON
ONSONSNTD18N06L-1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOI444
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOI444-DG
Einheitspreis
0.23
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