JANTXV2N6800
Hersteller Produktnummer:

JANTXV2N6800

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

JANTXV2N6800-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Inventar:

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JANTXV2N6800 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/557
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANTXV2N6800
JANTXV2N6800-DG
JANTXV2N6800-MIL

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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