Hersteller Produktnummer:
NTD12N10G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTD12N10G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12858555
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NTD12N10G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NTD12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
NTD12N10G-DG
NTD12N10GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQD13N10TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQD13N10TM-DG
Einheitspreis
0.28
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