Hersteller Produktnummer:
FDD1600N10ALZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD1600N10ALZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
6334 Stück Neu Original Auf Lager
12847420
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FDD1600N10ALZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
225 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
14.9W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD1600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2832-FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZCT
FDD1600N10ALZDKR
ONSONSFDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZTR
2156-FDD1600N10ALZ-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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