Hersteller Produktnummer:
NTBGS1D5N06C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTBGS1D5N06C-DG
Beschreibung:
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
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NTBGS1D5N06C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 318µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6250 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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