Hersteller Produktnummer:
TPH2R903PL,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH2R903PL,L1Q-DG
Beschreibung:
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 960mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
4970 Stück Neu Original Auf Lager
12988680
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TPH2R903PL,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPH2R903PL,L1QTR-DG
264-TPH2R903PLL1QTR
264-TPH2R903PL,L1QCT
264-TPH2R903PL,L1QTR
264-TPH2R903PLL1QTR-DG
264-TPH2R903PL,L1QDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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