Hersteller Produktnummer:
NSVMUN5216T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSVMUN5216T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Inventar:
102000 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
NSVMUN5216T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
202 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-3 (SOT323)
Basis-Produktnummer
NSVMUN5216
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
7,612
Andere Namen
2156-NSVMUN5216T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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