FA4L4L-T1B-A
Hersteller Produktnummer:

FA4L4L-T1B-A

Product Overview

Hersteller:

Renesas

Teilenummer:

FA4L4L-T1B-A-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

351000 Stück Neu Original Auf Lager
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FA4L4L-T1B-A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
90 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
FA4L4L

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
9,246
Andere Namen
2156-FA4L4L-T1B-A

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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