NSM46211DW6T1G

Hersteller Produktnummer:

NSM46211DW6T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSM46211DW6T1G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363

Detaillierte Beschreibung:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

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12847663

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NSM46211DW6T1G Technische Spezifikationen

Kategorie

Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

Transistor-Typ

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)

50V, 65V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emittersockel (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - Max

230mW

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket für Lieferanten

SC-88/SC70-6/SOT-363

Basis-Produktnummer

NSM462

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

NSM46211DW6T1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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