Hersteller Produktnummer:
NSM21356DW6T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSM21356DW6T1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
12847782
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EINREICHEN
NSM21356DW6T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 65V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
230mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
NSM213
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-NSM21356DW6T1G
2156-NSM21356DW6T1G-ONTR-DG
ONSONSNSM21356DW6T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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