NSBC123EF3T5G
Hersteller Produktnummer:

NSBC123EF3T5G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBC123EF3T5G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123

Inventar:

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12857592
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NSBC123EF3T5G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
254 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-1123
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-1123
Basis-Produktnummer
NSBC123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NSBC123EF3T5G
HTML-Datenblatt
NSBC123EF3T5G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
ONSONSNSBC123EF3T5G
2156-NSBC123EF3T5G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC123EM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DTC123EM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
DTC123EMT2L
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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