Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DTC123EM3T5G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
DTC123EM3T5G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 260 mW Surface Mount SOT-723
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12837106
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DTC123EM3T5G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
260 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-723
Basis-Produktnummer
DTC123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
DTC123EM3T5G
HTML-Datenblatt
DTC123EM3T5G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
=DTC123EM3T5GOSCT-DG
DTC123EM3T5GOSTR-DG
DTC123EM3T5GOSCT-DG
2156-DTC123EM3T5G-OS
ONSONSDTC123EM3T5G
488-DTC123EM3T5GCT
DTC123EM3T5GOSCT
DTC123EM3T5G-DG
DTC123EM3T5GOSTR
2832-DTC123EM3T5G
488-DTC123EM3T5GTR
488-DTC123EM3T5GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FJX4014RTF
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
DTA144WET1
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
FJX3011RTF
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT323
FJX3001RTF
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323