Hersteller Produktnummer:
NSBC115TDP6T5G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSBC115TDP6T5G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Inventar:
12856106
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NSBC115TDP6T5G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
100kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
339mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-963
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-963
Basis-Produktnummer
NSBC115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
2832-NSBC115TDP6T5GTR
2156-NSBC115TDP6T5G-OS
ONSONSNSBC115TDP6T5G
2832-NSBC115TDP6T5G-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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