Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NSBA124EDXV6T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NSBA124EDXV6T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12856173
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NSBA124EDXV6T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NSBA124
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NSBA124EDXV6T1G
HTML-Datenblatt
NSBA124EDXV6T1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
2156-NSBA124EDXV6T1G-OS
ONSONSNSBA124EDXV6T1G
488-NSBA124EDXV6T1GTR
488-NSBA124EDXV6T1GCT
NSBA124EDXV6T1GOS
488-NSBA124EDXV6T1GDKR
NSBA124EDXV6T1GOS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DDA143TH-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2850
TEILNUMMER
DDA143TH-7-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DDA124EH-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5994
TEILNUMMER
DDA124EH-7-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
Similar
Teilenummer
RN2903FE(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3450
TEILNUMMER
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DDA114TH-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5848
TEILNUMMER
DDA114TH-7-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NSBA114TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA113EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
NSVMUN5113DW1T3G
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
NSTB1002DXV5T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553