NSBA123TDP6T5G
Hersteller Produktnummer:

NSBA123TDP6T5G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBA123TDP6T5G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963

Inventar:

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12843628
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NSBA123TDP6T5G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
408mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-963
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-963
Basis-Produktnummer
NSBA123

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NSBA123TDP6T5G
HTML-Datenblatt
NSBA123TDP6T5G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
ONSONSNSBA123TDP6T5G
2156-NSBA123TDP6T5G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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