NSBA114TDXV6T1
Hersteller Produktnummer:

NSBA114TDXV6T1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NSBA114TDXV6T1-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

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12843776
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NSBA114TDXV6T1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NSBA114

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
2156-NSBA114TDXV6T1-ONTR-DG
2156-NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6TOSTR
ONSONSNSBA114TDXV6T1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
EMB4T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
EMB4T2R-DG
Einheitspreis
0.07
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Einheitspreis
0.04
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cr
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