RN2911FE(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

RN2911FE(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2911FE(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventar:

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RN2911FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung - Max
100mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
RN2911

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
RN2911FE(TE85LF)CT
RN2911FE(TE85LF)TR
RN2911FE(TE85LF)DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NSBA114TDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NSBA114TDXV6T1G-DG
Einheitspreis
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