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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NDS9959
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDS9959-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 50V 2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12856752
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EINREICHEN
NDS9959 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250pF @ 25V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
NDS995
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NDS9959
HTML-Datenblatt
NDS9959-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NDS9959TR
NDS9959TR-NDR
NDS9959CT-NDR
NDS9959DKR
NDS9959CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZXMN6A11DN8TA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
4519
TEILNUMMER
ZXMN6A11DN8TA-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
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