NTGD4161PT1G
Hersteller Produktnummer:

NTGD4161PT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NTGD4161PT1G-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 1.5A 600mW Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

12856782
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NTGD4161PT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
281pF @ 15V
Leistung - Max
600mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
NTGD41

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSNTGD4161PT1G
2156-NTGD4161PT1G-ONTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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