Hersteller Produktnummer:
NDD03N80Z-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NDD03N80Z-1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventar:
12842417
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NDD03N80Z-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
NDD03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD2N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
6117
TEILNUMMER
STD2N80K5-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
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