FCU3400N80Z
Hersteller Produktnummer:

FCU3400N80Z

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FCU3400N80Z-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

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FCU3400N80Z Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
492
Andere Namen
2156-FCU3400N80Z
ONSFSCFCU3400N80Z

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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