MUN5115T1
Hersteller Produktnummer:

MUN5115T1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN5115T1-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Inventar:

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12852977
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MUN5115T1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
202 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-3 (SOT323)
Basis-Produktnummer
MUN5115

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-MUN5115T1-ONTR-DG
2156-MUN5115T1
ONSONSMUN5115T1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN2311(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2610
TEILNUMMER
RN2311(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
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0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
MUN5115DW1T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
MUN5115DW1T1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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