MUN2111T3G
Hersteller Produktnummer:

MUN2111T3G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN2111T3G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

12853225
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MUN2111T3G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
230 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
MUN2111

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MUN2111T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11729
TEILNUMMER
MUN2111T1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
PDTA114ET,235
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
154808
TEILNUMMER
PDTA114ET,235-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Upgrade
Teilenummer
PDTA114EU,135
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
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PDTA114EU,135-DG
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0.01
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